Транзисторно-транзисторная схема

100 великих событий XX векаДвадцатый век вместил событий больше, чем несколько предыдущих. Это также уменьшает площадь кристалла (в случае реализации в виде интегральной схемы), и соответственно позволяет добиться более высокой плотности элементов. Geoffrey Dummer) впервые выдвинул идею объединения множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника.

Основным элементом аналоговых микросхем являются транзисторы (биполярные или полевые). Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Кроме того, по быстродействию, вследствие глубокого насыщения транзисторов инвертора, И2Л-элементы уступают ТТЛШ-элементам. Пассивные компоненты микросборки (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) обычно изготавливаются методами тонкоплёночной или толстоплёночной технологий на общей, обычно керамической подложке гибридной микросхемы. Допустимый уровень напряжения на выходе цифровой ТТЛ микросхемы показан на рисунке 6. Рисунок 6. Уровни логических сигналов на выходе цифровых ТТЛ микросхем Как уже говорилось ранее, напряжение на входе цифровой микросхемы по сравнению с выходом обычно допускается в больших пределах.
Затем с помощью R1 и R2 (сохраняя их примерное соотношение!) выставляется ток покоя – ставим тестер на измерение постоянного тока и измеряем этот самый ток в точке входа плюса питания. Эти эмиттеры выполняют роль входных диодов (если сравнивать с ДТЛ). Многоэмиттерный транзистор по сравнению с применявшейся в схемах ДТЛ сборкой из отдельных диодов занимает меньше места на кристалле и обеспечивает более высокое быстродействие. Первоначально на основе элементов ТТЛШ разрабатывались быстродействующие цифровые вычислительные устройства и, в частности, ЭВМ. Однако в дальнейшем совершенствование технологии КМОП привело к вытеснению элементов ТТЛШ, поскольку элементы КМОП обладают гораздо меньшей потребляемой мощностью.

Похожие записи: